مطالعه ی جریان دررو در ماسفت های کانال کوتاه دو دروازه ای

thesis
abstract

در این پایان نامه مشخصات جریان- ولتاژ ماسفت های کانال کوتاه دو دروازه ای با طولهای مختلف مورد مطالعه قرار گرفته است. در ابتدا جریان زیر آستانه ی این قطعات برای طولهای کانال 100 و 50 و 20 نانومتر محاسبه شده است و نشان داده ایم که جریان زیر آستانه برای قطعه با طول کانال کوچکتر، مقدار بزرگتری دارد و هر چه طول کانال بزرگتر باشد بستگی جریان زیر آستانه به جریان دررو کمتر است. همچنین نشان داده ایم که جریان زیر آستانه برای قطعات با طول کانال بالای 100 نانومتر به ولتاژ دررو بستگی ندارد.در این پایان نامه همچنین نمودار جریان- ولتاژدر تمامی نواحی ,ضریب رسانایی کانال و ضریب رسانایی متقابل با استفاده از دو مدل متفاوت برای قطعاتی با طول کانالهای مختلف یعنی 30،40،50،100،150،250 نانومتر نانومتر محاسبه و رسم نموده ایم و سپس نتایج حاصل از دو مدل را برای سه طول کانال 100،60 و 250 نانومتر را با هم مقایسه نموده ایم و نشان دادیم که دو مدل برای طول کانال های بالای 100 نانومتر انطباق قابل توجهی دارند. اما برای طول کانال های کوچکتر نتایج آنها اندکی متفاوت است. به همین دلیل نتایج هر یک از دو مدل را برای طول کانال 20 نانومتر با مدل یک ماسفت بالستیکی مقایسه نموده ایم و نشان داده ایم که هر دو مدل نتایج نزدیک به نتایج مدل بالستیکی ارائه می دهند و حتی در بعضی از مقادیر ولتاژ دروازه نتایج کاملا یکسانی دارند. در نهایت مدلی که همخوانی بیشتری با مدل بالستیک داشت یعنی مدل دوم را به عنوان مدل برتر معرفی نمودیم. ?

First 15 pages

Signup for downloading 15 first pages

Already have an account?login

similar resources

محاسبه ی پتانسیل سطحی و جریان زیرآستانه در ماسفت های کانال کوتاه

با استفاده از یک مدل تحلیلی مبتنی بر حل معادله دوبعدی پواسون، پتانسیل سطحی نمائی در دو ماسفت کانال کوتاه n و p را محاسبه و رسم کرده ایم. پتانسل سطحی بر حسب طول برای ماسفت های کانال  mm1 مذکور تغییرات زیادی را در طول کانال از چشمه تا چاهک نشان می دهد که این رفتار را می توان به آثار کانال کوتاه نسبت داد در حالی که مقدار آن در همین ناحیه برای ماسفت کانال  mm3 ثابت است. سپس ولتاژ آستانه بر حسب تابع...

full text

مدل سازی تحلیلی اثرات کانال کوتاه در ماسفت های دو گیتی با گیت دو ماده ای در ابعاد نانو

در این پایان نامه به مدل سازی اثرات کانال کوتاه در ماسفت های دوگیتی با گیت دو ماده ای پرداخته شده است. یک مدل دو بعدی برای پتانسیل کانال با استفاده از ترکیبی از روش های مد ناپایدار و روش تقریب چند جمله ای استخراج شده است. با استفاده از روش مد ناپایدار پتانسیل کانال به صورت مجموع پتانسیل یک بعدی برای حالت کانال بلند و تغییرات دو بعدی پتانسیل برای در نظر گرفتن کوتاه شدن کانال بیان شده است. تغییرا...

محاسبه‌ی پتانسیل سطحی و جریان زیرآستانه در ماسفت‌های کانال کوتاه

با استفاده از یک مدل تحلیلی مبتنی بر حل معادله دوبعدی پواسون، پتانسیل سطحی نمائی در دو ماسفت کانال کوتاه n و p را محاسبه و رسم کرده‌ایم. پتانسل سطحی بر حسب طول برای ماسفت‌های کانال  mm1 مذکور تغییرات زیادی را در طول کانال از چشمه تا چاهک نشان می‌دهد که این رفتار را می‌توان به آثار کانال کوتاه نسبت داد در حالی که مقدار آن در همین ناحیه برای ماسفت کانال  mm3 ثابت است. سپس ولتاژ آستانه بر حسب تابع...

full text

مطالعه آزمایشگاهی مشخصات نواحی جداشدگی جریان در تقاطع چهار شاخه ی 90 درجه کانال های روباز با جریان زیربحرانی

چکیده مقدمه: یکی از مشکلات موجود در محل تقاطع کانال‌ها توسعه‌ی ناحیه‌ی جداشدگی در کانال‌های پایین دست محل تقاطع می-باشد. ایجاد ناحیه جداشدگی نقش مهمی در تعیین محل سازه‌های هیدرولیکی پایین دست داشته و افزایش ابعاد آن، کاهش سطح مقطع جریان را به دنبال دارد. با توجه به اثرات توسعه ناحیه جداشدگی، مطالعه در این زمینه همواره مورد توجه محققین قرار داشته است. در این تحقیق تاثیر عواملی نظیر نسبت دبی ورود...

full text

مطالعه آزمایشگاهی اثر امواج ضربه ای در تبدیل کانال های روباز با مقاطع ذوزنقه ای و مستطیلی بر مشخصات جریان

سابقه و هدف: تبدیل‌های همگرا در جریان‌های فوق بحرانی کاربردهای گسترده‌ای دارند. از جمله آن می‌توان به انتقال جریان از کانال‌های آبگیر سدها به سرریزهای تونلی، کاهش عرض کانال در تندآب‌ها و کاهش زمان انتقال جریان در کانال‌های انتقال سیلاب اشاره کرد. در مطالعه جریان‌های فوق بحرانی تشکیل امواج ضربه‌ای از اهمیت بالایی برخوردار است. تولید و توسعه این امواج به دلیل افزایش ارتفاع آب به اندازه چندین براب...

full text

ارائه یک مدل بهبودیافته برای ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه و بهینه سازی پارامترهای آن توسط الگوریتم جستجوی گرانشی

پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دهه‌ی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power ...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد - دانشکده فیزیک

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023